Ученые химического и физического факультетов МГУ показали, что стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счет замены собственных дефектов в кристаллической структуре оксидов металлов на примесные. Данная концепция расширяет возможности создания сенсорных материалов с длительным временем устойчивой работы. Работа опубликована в журнале Sensors and Actuators B: Chemical и поддержана грантом РНФ № 22-19-00703.
Открыть "Ученые МГУ улучшили «электронный нос»" на FiNE NEWS.
Свежие комментарии